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一种电子级多晶硅生产中回收氢气的净化处理工艺

2016-1-4    来源：    作者：佚名  阅读：次  【打印此页】

其特征为净化处理工艺如下：（1）将低温淋洗吸收、换热后的含有微量氯化氢、氯硅烷及痕量BCl3、硼烷、磷烷、PCl5、POCl3等杂质的回收氢气通入回收氢气预冷器管程进行预冷，冷却后的回收氢气温度为25℃以下，压力为0.8MpaG以上；（2）经预冷后的回收氢气进入回收氢气冷却器管程，进行再冷，再冷后的回收氢气温度为0℃以下，压力为0.8MpaG以上；（3）经再冷后的回收氢气进入吸附器，对杂质进行吸附，吸附温度为20℃以下，压力为0.8MpaG；（4）经吸附后的回收氢气进入回收氢气预冷器壳程，对管程中未吸附的回收氢气降温；（5）从预冷器壳程出来的回收氢气进入回收氢气过滤器进行过滤；（6）经过滤器过滤的回收氢气，纯度为99.999%（V/V），作为产品使用于多晶硅生产工艺。

 

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